SNEC 第十八届（2025）光伏展 
。派恩

派恩杰。杰半半导体 。导体6.1H A155 。满意

近来，收官全球最具影响力的派恩世界化 、专业化、杰半规模化光伏盛会“SNEC第十八届世界太阳能光伏与才智动力大会暨博览会”满意闭幕 。导体派恩杰半导体在【6.1H馆 A155展位】重磅展开了新品发布、满意技能沙龙以及光伏客户计划的收官体系共享会，继续掀动展位热度 ，派恩取得很多光伏职业专家以及专业观众的杰半高度认可 。

PART 01新品发布会 & 技能沙龙
。导体

展会第一天，满意派恩杰隆重举行了“新品发布”共享会，收官并由派恩杰创始人黄兴博士亲身开幕，就“3.5μm原胞尺度” 、“3300V晶圆” 、“2000V Easy 3B 。功率模块 。”做出了正式的发布及改造性剖析 ，招引了很多碳化硅职业团队专家停步
 ，就碳化硅的使用商场及应战与黄博士进行了深度对话 。

一起，会上每天守时展开“技能沙龙”共享活动
，为用户答疑解惑的一起更是进一步拉近了与产品终端用户的间隔 ，会上，役使的发问让咱们倍感侥幸，也让咱们深入意识到碳化硅的未来还有很久远的路需要与职业同伴们一起深耕 。

PART 02光伏客户计划 。

此次派恩杰更是设置了针对性的“光伏客户计划”区域，展现了咱们的芯片在光伏
。电源
。使用的前瞻性，聚集 。智能。运维、高效发电、降本增收三大中心价值。

PART 032000V。高压。渠道使用。

派恩杰新推出的2000V Easy 3B高压功率模块，广泛使用于光伏储能职业的电源转化和各种。逆变器。体系中可发挥其高功率和可靠性 
，以最大极限进步发电和储能功率 。

使用优势：

逆变器：将直流电转为沟通电，支撑光伏阵列的输出，打气能量转化功率 。

储能体系 ：操控能量活动，优化充放电进程，保证体系稳定性
。

功率打气：2000V规划满意大规模光伏场景下的高压需求，减小电气损耗 ，进步体系全体功率
。

PART 04更大尺度晶圆。

晶圆是芯片的载体 ，其尺度直接影响芯片的出产功率和本钱，晶圆尺度的添加使得出产功率和本钱效益都有了明显打气。本次光伏展上派恩杰展出的更大尺度晶圆 ，正是经过增大物理尺度来到达降本增效的意图 。在芯片结构尺度相同的情况下 ，当晶圆直径添加时，边际曲率变小，能够有用削减边际损耗，进步资料利用率；其次晶圆尺度增大后 ，制作工艺的一些根本过程不随晶圆尺度的改变而改变，这样就能够在不添加工艺过程的情况下进步出产功率。

PART 05SiC 功率器材 。

派恩杰半导体自创建以来一向专心于第三代半导体的规划与推行，碳化硅。MOSFET。的规划水平处于职业前列，关键性技能指标HDFM全球抢先，具有深沉的技能堆集和全面的产业链优势
。在650V 、1200V 、1700V 、2000V四个电压渠道已发布100余款不同类型的碳化硅。二极管。、碳化硅MOSFET
、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品，能够为客户供给全方位的挑选和技能支撑 
。

天盛会已满意闭幕 ，但派恩杰的脚步从未停歇。感谢本次会上莅临派恩杰展区的一切嘉宾、客户以及合作同伴，您的信赖与支撑是咱们的动力 。感谢一切的认可与主张 ，咱们会不断优化产品功能、继续立异，加强与全球同伴的沟通与协作，一起推进光伏职业开展 、构建绿色动力未来奉献更多的力气 、发明绿色动力新篇章。

【派恩杰半导体】 。

成立于2018年9月的第三代半导体功率器材规划和计划商 ，世界标准委员会JC-70会议的首要成员之一，参加拟定宽禁带半导体功率器材世界标准 。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD
、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器材，其间SiC MOSFET芯片已大规模导入国产。新动力  。整车厂和。Ti 。er 1，其他产品广泛用于大数据 。中心。、超级核算与。区块链 。、。5G。通讯 。基站 、储能/ 。充电桩 。 、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压
、航空航天、工业特种电源、UPS
、。电机 。驱动等范畴 。